Samsung 990 Pro 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
    Samsung 990 Pro 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
    Samsung 990 Pro 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
    Samsung 990 Pro 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

    Samsung 990 Pro 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

    Ref: MZ-V9P4T0GW_ID EAN: 8806095255811 8 uds. disponibles
    Aún no hay reseñas

    Samsung 990 Pro, 4 TB, M.2, 7450 MB/s

     
    Samsung 990 Pro. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
    SDD, capacidad4 TB
    Factor de forma de disco SSDM.2
    InterfazPCI Express 4.0
    NVMeSi
    Tipo de memoriaV-NAND TLC
    Componente paraPC/Consola de videojuegos
    Encriptación de hardwareSi
    Versión NVMe2.0
    Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
    Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
    Velocidad de lectura7450 MB/s
    Velocidad de escritura6900 MB/s
    Lectura aleatoria (4KB)1600000 IOPS
    Escritura aleatoria (4KB)1550000 IOPS
    Función DevSleepSi
    Soporte S.M.A.R.T.Si
    Soporte TRIMSi
    Tiempo medio entre fallos1500000 h
    Voltaje de operación3,3 V
    Consumo de energía (max)8,6 W
    Consumo de energía (promedio)6,5 W
    Consumo de energía (espera)0,055 W
    Ancho25 mm
    Profundidad80,2 mm
    Altura80,2 mm
    Peso28 g
    Tipo de embalajeEnvase para colgar
    Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
    Golpes en funcionamiento1500 G
    Periodo de garantía5 año(s)
    Disponible en
    Peninsula
    Ancho
    25 mm
    Profundidad
    80,2 mm
    Altura
    80,2 mm
    Peso
    28 g
    Consumo de energía (max)
    8,6 W
    Tipo de embalaje
    Envase para colgar
    Algoritmos de seguridad soportados
    256-bit AES
    Velocidad de lectura
    7450 MB/s
    Intervalo de temperatura operativa
    0 - 70 °C
    Periodo de garantía
    5 año(s)
    Voltaje de operación
    3,3 V
    Interfaz
    PCI Express 4.0
    Componente para
    PC/Consola de videojuegos
    SDD, capacidad
    4 TB
    NVMe
    Si
    Factor de forma de disco SSD
    M.2
    Tipo de memoria
    V-NAND TLC
    Encriptación de hardware
    Si
    Versión NVMe
    2.0
    Velocidad de escritura
    6900 MB/s
    Lectura aleatoria (4KB)
    1600000 IOPS
    Escritura aleatoria (4KB)
    1550000 IOPS
    Tiempo medio entre fallos
    1500000 h
    Golpes en funcionamiento
    1500 G
    Tamaño de la unidad SSD M.2
    2280 (22 x 80 mm)
    Soporte TRIM
    Si
    Consumo de energía (promedio)
    6,5 W
    Soporte S.M.A.R.T.
    Si
    Consumo de energía (espera)
    0,055 W
    Función DevSleep
    Si
    MZ-V9P4T0GW_ID
    8806095255811

    Consultas

    Sea el primero en hacer una consulta sobre este producto!

    Consulta sobre el producto

    * Campos obligatorios
    (Leer)
    Comentarios (0)

    Aún no hay reseñas

    Product added to compare.