Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Samsung 990. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6450 MB/s, Componente para: PC

SDD, capacidad	1 TB
Factor de forma de disco SSD	M.2
Interfaz	PCI Express 4.0
NVMe	Si
Tipo de memoria	V-NAND
Componente para	PC
Encriptación de hardware	Si
Versión NVMe	2.0
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES, TCG Opal 2.0
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura	7150 MB/s
Velocidad de escritura	6450 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)	700000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)	1100000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express	x4
Función DevSleep	Si
Revisión PCI Express CEM	4.0
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Soporte TRIM	Si
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Voltaje de operación	3,3 V
Consumo de energía (lectura)	4 W
Consumo de energía (escritura)	3,7 W
Consumo de energía (espera)	0,055 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)	3 mW
Ancho	80,2 mm
Profundidad	2,38 mm
Altura	22,1 mm
Tipo de embalaje	Caja
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento	1500 G