Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos

SDD, capacidad	1 TB
Factor de forma de disco SSD	M.2
Interfaz	PCI Express 5.0
NVMe	Si
Tipo de memoria	V-NAND TLC
Componente para	PC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardware	Si
Versión NVMe	2.0
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura	14700 MB/s
Velocidad de escritura	13300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)	1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)	2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express	x4
Función DevSleep	Si
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Soporte TRIM	Si
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Voltaje de operación	3,3 V
Consumo de energía (lectura)	7,6 W
Consumo de energía (escritura)	7,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura)	7,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)	7,2 W
Consumo de energía (espera)	0,004 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)	3,3 mW
Ancho	80,2 mm
Profundidad	8,88 mm
Altura	80,2 mm
Peso	30 g
Tipo de embalaje	Caja
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento	1500 G
Periodo de garantía	5 año(s)