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Samsung 9100 PRO 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung 9100 PRO 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Ref: MZ-VAP8T0CW_ID EAN: 8806095811642 12 uds. disponibles
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Samsung 9100 PRO, 8 TB, M.2, 14800 MB/s

 
Samsung 9100 PRO. SDD, capacidad: 8 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
SDD, capacidad8 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardwareSi
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura14800 MB/s
Velocidad de escritura13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (lectura)10,5 W
Consumo de energía (escritura)8,8 W
Consumo de energía (espera)0,009 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)8,6 mW
Ancho80,2 mm
Profundidad3,88 mm
Altura80,2 mm
Peso9,5 g
Ancho del paquete96 mm
Profundidad del paquete166 mm
Altura del paquete22 mm
Peso del paquete80 g
Tipo de embalajeCaja
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Periodo de garantía5 año(s)
Ancho
80,2 mm
Profundidad
3,88 mm
Altura
80,2 mm
Peso
9,5 g
Ancho del paquete
96 mm
Profundidad del paquete
166 mm
Altura del paquete
22 mm
Peso del paquete
80 g
Tipo de embalaje
Caja
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Periodo de garantía
5 año(s)
Voltaje de operación
3,3 V
Interfaz
PCI Express 5.0
Componente para
PC/Consola de videojuegos
SDD, capacidad
8 TB
NVMe
Si
Factor de forma de disco SSD
M.2
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Encriptación de hardware
Si
Versión NVMe
2.0
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Golpes en funcionamiento
1500 G
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Soporte TRIM
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Consumo de energía (escritura)
8,8 W
Consumo de energía (espera)
0,009 W
Consumo de energía (lectura)
10,5 W
Función DevSleep
Si
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
8,6 mW
MZ-VAP8T0CW_ID
8806095811642

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