Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

SDD, capacidad	1 TB
Factor de forma de disco SSD	M.2
Interfaz	PCI Express 4.0
NVMe	Si
Tipo de memoria	V-NAND TLC
Componente para	PC
Encriptación de hardware	Si
Versión NVMe	2.0
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura	7150 MB/s
Velocidad de escritura	6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)	850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)	1350000 IOPS
Función DevSleep	Si
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Soporte TRIM	Si
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Voltaje de operación	3,3 V
Consumo de energía (lectura)	4,3 W
Consumo de energía (escritura)	4,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura)	4,3 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)	4,2 W
Consumo de energía (espera)	0,06 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)	5 mW
Ancho	80,2 mm
Profundidad	2,38 mm
Altura	80,2 mm
Peso	9 g
Ancho del paquete	145 mm
Profundidad del paquete	100 mm
Altura del paquete	24 mm
Peso del paquete	68 g
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento	1500 G